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論文

Oxidation mechanisms of hafnium overlayers deposited on an Si(111) substrate

垣内拓大*; 的場友希*; 小山大輔*; 山本優貴*; 吉越章隆

Langmuir, 38(8), p.2642 - 2650, 2022/03

https://doi.org/10.1021/acs.langmuir.1c02711

被引用回数：1 パーセンタイル：14.86(Chemistry, Multidisciplinary)

Hf薄膜を形成したSi(111)基板の界面および表面の酸化プロセスを超音速酸素分子ビーム(SOMB)と放射光光電子分光法により研究した。酸化は最表面のHf層から始まり、化学量論的なHfO $_{2}$ を生成する。2.2eVのSOMBを照射した場合、界面のHfシリサイドが酸化され、HfO $_{2}$ /Si界面近傍にHf-O-Siが生成した。Si基板で酸化が起こり、SiO $_{2}$ 化合物が生成される。HfO $_{2}$ 層の下にあるSiO $_{2}$ /Si界面領域からSi原子が放出され、歪んだSi層に発生した応力を解放する。放出されたSi原子は、HfO $_{2}$ を通過して入射するO $_{2}$ ガスと反応する。